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Parylene C 是系列中第二个具有商业价值的成员。它由相同的 单体制成,聚*,只是将其中一^芳香烃氢原子用一^氯 原子所取代了。综合了优良的介电性能和物理机械 性能,对潮湿和腐蚀性气体有的渗透性。可以提供*的无覆形隔离。满足美军标MIL- 46058C,是涂敷重要电路板的材料。符合IS0- 10993生物试验要求。符合UDP第六类塑料的生物试验要求。

Parylene F是系列中的第三个成员.它由相同的单体制成,只 是将其中两个芳香烃氢原子被氯原子取代。较高温 度下仍有优良的介电性能和物理机械性能.有较高的热稳定性。




根据Arrhenius外推法的数据,ParyleneC预计可以暴露在持续100℃的空气下10年(100,000小时)。在无氧的气体环境或者在真空状况下,Parylene估计可以暴露在220℃的温度下持续雷同的时间。在所有的情况下,高温降低使用寿命。假如应用的环境要求接近或者超过了这个时间——温度——空气环境,建议用更接近现实使用环境的条件进行悉数的测试。

Parylene可以经过韧化来进步击穿阻*,聚*镀层厂家,进步硬度及改动摩擦阻*。这是密度和结晶度进步的效果。





ParyleneC和ParyleneN的薄膜击穿电压

Parylene的特征之一是它们可以形成*薄的膜层。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流击穿电压被确定与高聚物厚度有肯定的关系。图3画出了相干的曲线。对于5个微米(0.0002inch)以下的薄膜,聚*工艺,这方面的性能ParyleneC要强于ParyleneN。这些数据注解,两种Parylene材料都具有很好的绝缘性能,即使厚度小于1个微米。随着厚度的减小,单位厚度的击穿电压一样平常将升高。





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