MBR60200PT开关电源用-开关电源用-A

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典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，开关电源用，在上面形成用作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二*管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称

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优点

肖特基二*管

肖特基二*管，SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，MBR60200PT开关电源用，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。

只有使用快速恢复外延二*管（FRED）和超快速恢复二*管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

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ASEMI中有很多文章提及过肖特基二*管的特殊性能：肖特基二*管和普通二*管不同的地方就在于结构上的不同；普通P-N结的整流二*管以及金属-半导管连接方式的二*管叫作肖特基二*管。而快恢复二*管则是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二*管，常用于开关电源。快恢复二*管的特点是反向恢复时间短，正向低，反向击穿电压高。