香港IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)

半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，香港IGBT测试仪，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，大功率IGBT测试仪厂家，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其*性的不同，都须要一个*的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，封装用IGBT测试仪厂家，在*短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二*管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

9）尖峰*电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二*管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二*管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%