20N10MOS管工作原理-MOS管工作原理-ASEMI

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MOS管的金属氧化物是什么？

MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，100N10MOS管工作原理，用来电气隔离，使得栅*只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅*和源漏*是断路。不难理解，MOS管工作原理，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅*电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，25N120MOS管工作原理，使栅*电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏*电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏*电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

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绝缘型场效应管的栅*与源*、栅*和漏*之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅*为金属铝，故又称为MOS管。它的栅*-源*之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。

与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：

N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、

P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。