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电池片流程

扩散制结： 太阳能电池需要一个大面积的 PN 结以实现光电转化， 而扩散炉就是制造太阳能电池P-N 结的*设备。扩散用*为扩散源。在 830 度的高温下用氮气将*带入石英容器，通过*和硅片进行反应，得到磷离子，通过硅原子质检的空隙向硅片内扩散，形成 P-N 结。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片， 扩散面需跟制绒面在同一面上，扩散为单面扩散，工艺流程为 83 分钟。

湿法刻蚀： 利用 HNO3 和 HF 的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀 ， 去除边缘的 N 型硅 ， 使得硅片的上下表面相互绝缘。

需注意 : 刻蚀分为干湿两法 ，二手*，目前采用湿法，刻蚀后需做亲水性测试。

如何判断亲水性是否良好？

用纯水滴在硅片上看硅片上的扩散面积。机械臂流片需要返工因臭氧层丢失。

PEVCD: 镀减反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片，流程为 50 分钟， 在此阶段会发生*，色差等问题。

丝网印刷 ： 把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷 ， 通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成 ， 承印物直接放在带有模版的丝网下面，浆料在*的挤压下穿过丝网间的网孔 ， 只有图像部分能穿过，印刷到承印物上印刷流程为背电*——背电场——正电*。

需注意 ： 断栅 问题会出现在此工艺段。也是电池片的后一大工艺段。

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单晶硅片

当今开发设计得更快的这种太阳电池，它的组成和生产工艺流程已定形，商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料，纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费，如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒，原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料，历经复拉做成太阳电池*型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片，通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程，做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片，先要在硅片上夹杂和外扩散，通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONTgt;N 结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电*，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右，实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。

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背电场：

A 级：

背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失

B 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。

新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

C 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

粗点：

A 级：

粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

新的标准：不允许有粗点

B 级：

粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个

新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

C 级：

粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个

新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。