MOS场效应管-10N60MOS场效应管-ASEMI

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ASEMI品牌 TO-220 MOS场效应晶体管 100N10

型号：100N10

封装：TO-220AB

漏*电流（VDS）：100A

漏源电压（ID）：100V

工作温度：-55℃~150℃

封装类型：插件

种类：场效应晶体管/MOSFET

品牌：ASEMI

场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

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ASEMI低压MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V

型号：A29T / 3402

封装：SOT-23

漏*电流（VDS）：4A

漏源电压（ID）：30V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：贴片

种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，10N60MOS场效应管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，MOS场效应管，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

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ASEMI品牌 10N60 MOS场效应管 10A 600V 插件封装类型

型号：10N60

封装：TO-220AB

漏*电流（VDS）：10A

漏源电压（ID）：600V

工作温度：-55℃~150℃

种类：N沟道增强型场效应管

品牌：ASEMI

MOS管的source和drain是可以对调的，SYM601MOS场效应管，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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