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氧化锌(ZnO)晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌(ZnO)晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。






一种生长氧化锌晶体的方法,在真空下,通入保护气,以氧化锌的粉为粉源,将氧化锌的粉加热使其升华为气体,ZnO晶体基片价格,所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长.采用升华法生长氧化锌晶体装置,加热速度快,生长室容易达到高真空,可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸,ZnO晶体价格,生长速度的控制,可获得高质量大尺寸氧化锌晶体;克服了现有技术生长速率低的不足,ZnO晶体基片,且工艺设备要求简单,成本较低.





众所周知氧化锌(ZnO)作为宽禁带半导体材料,乌鲁木齐ZnO晶体,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,为此,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。目前,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。





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