100N10MOS管-ASEMI-MOS管

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;

·标准的N沟道MOS管，25N120MOS管，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比

·这一特性有时以流过栅*的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

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MOS管的金属氧化物是什么？

MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅*只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅*和源漏*是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅*电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。

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MOS管与三*管，开关管的区别：

它们的区别在于，MOS管是单*性管子而三*管属于双*性管子，100N10MOS管，这个单*性和双*性的意思是来自于半导体内部载流子类型而区分出来的，所以单*性就是一种载流子而双*性就是两种载流子。

载流子种类越多，相互阻碍就越大，所以单*性管子就会相比双*性管子的阻*小很多，即输出的电流可以大很多，同时也允许通过更大电流，允许更大电压。

根据MOS管，MOS管，三*管的性质可知，通过对它们工作电压的改变可以使它们分别用来放大信号，用来做开关，而MOS管，三*管同时也有大功率和小功率的各种类型管子，因此结合以上特点可知，MOS管，三*管既可以用来做开关管也可以用来做功率管。