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将转轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。2、用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。3、将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。

这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）配置原则如下：电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的*干扰效果会好。为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻*特别小，各种型号电容器回收，在500kHz～20MHz范围内阻*小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。

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这种电容器回收单个元件由聚金属化薄膜绕制而成。聚金属化薄膜是在聚薄膜表面利用高真空蒸镀技术蒸镀一层*薄的锌或铝金属薄层，使电容器的*板和绝缘介质结合成一体，从而使结构紧密，其厚度仅为0.03-0.04um。达到体积小、容量大、质量高等诸多有点。特别是这种电容器当元件某一点击穿时，击穿电流使击穿点周围的金属层蒸发，故障点附近失去金属层而形成绝缘层，介质迅速恢复绝缘性能，故障自行消除，使电容器自动恢复安全运行。

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