河南IGBT测试仪加工-华科便携式测试台

主要参数测试范围精度要求测试条件

Vce

集射*电压150～3300V150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V；150～3300V

Ic

集射*电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A

Vge

栅*电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V-30V～30V

Qg

栅*电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅*-发射*漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电*电压VCE：0V栅*电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电*-发射*电压集电*电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电*电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压Vge： 0V4）集电*-发射*饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅*电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电*电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电*-发射*截止电流ICES集电*电压VCE： 100-5000V±3%集电*电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压VGE： 0V6）栅*-发射*阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电*电流ICE： 30mA±3%7）二*管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge： 0V

9）尖峰*电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二*管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二*管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%