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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二*管制造(5.6-9.0 PPM/℃) 。激光模具通常是建立在GaAs基板使用,如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟(InGaP) 。近,铟家氮化物(InGaN)激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。





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*中钨铜合金相对密度也仅为97%。为了改善其密度和性能通常在合金中添加合金元素镍。然而镍的添加严重降低材料的导电性。钨粉的纯度以及含氧量是保证钨粉良好的浸润性、达到好的渗铜效果的前提, 钨粉的含氧量增加,钨铜合金厂家,使钨粉以及铜粉之间的液相浸润角*, 浸润性变坏,当含氧量大于0.5%时,浸铜试样出现严重的夹心,浸铜区局限于表面层。以上情况在钨铜材料中的存在对于电火花加工中的电*材料是致命的。



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熔浸法仍是目前制备钨铜合金中应用为广泛的方法〔9一’。]。由于钨的熔点高,在一般高温 (lt;1700℃)下烧结收缩小,难以致密化,又因钨粉本身硬度高,成形性差,靠模压难以达到高钨含量所需要的骨架密度。



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