IGBT功率器件测试中心第三方实验室

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IGBT功率器件测试中心第三方实验室

名称西安长禾半导体技术有限公司【公司网站】
所在地中国陕西西安
联系人 蒲经理
价格 ￥199元/件 点此议价
采购量不限制
发布日期 2024-04-18 11:09 至长期有效

热线：17792574070

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IGBT功率器件测试中心第三方实验室产品详情

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产地:陕西西安
品牌:长禾半导体
品牌:其他
类型:多参数测试仪
型号:长禾
测量范围:6000V
精确度:4500A

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断*服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承*务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。

检测项目	覆盖产品	检测能力	参考标准
直流参数	MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；	检测电压：7500V 检测电流：6000A	*，IEC
雪崩能量	MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件	检测电压：2500V 检测电流：200A	美军标
栅电阻	MOSFET、IGBT及第三代半导体器件	检测阻0.1Ω～50Ω	JEDEC
开关时间	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；	检测电压：1200V 检测电流：200A	美军标，*，IEC等
开关时间	IGBT等模块产品	检测电压：2700V 检测电流：4000A	*，IEC
反向恢复	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件	检测电压：1200V 检测电流：200A	美军标，*，IEC等
反向恢复	IGBT等模块产品	检测电压：2700V 检测电流：4000A	*，IEC
栅电荷	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件	检测电压：1200V 检测电流：200A	美军标，*，IEC等
栅电荷	IGBT等模块产品	检测电压：2700V 检测电流：4000A	*，IEC
短路耐量能力	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件	检测电压：1200V 检测电流：1000A	美军标，*，IEC等
短路耐量能力	IGBT等模块产品	检测电压：2700V 检测电流：10000A	*，IEC
结电容	MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件	检测电压：3000V	IEC
参数曲线扫描	MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线	检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C	美军标，IEC等
热阻性能	MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品	功率：250W	美军标，JEDEC
热阻性能	IGBT等模块产品	功率：4000W	美军标，JEDEC
ESD能力	MOSFET、IGBT、IC等产品	HBM电压：8000V；MM电压：800V	美军标，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力	DIODE（Si/SiC）、整流桥	检测电流：800A	美军标，*

以上内容为IGBT功率器件测试中心第三方实验室，本产品由西安长禾半导体技术有限公司直销供应。

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