CNAS 认可实验室于大功率器件测试服务中心

第一枪帮您来“拼单”，更多低价等你来！

CNAS 认可实验室于大功率器件测试服务中心

名称西安长禾半导体技术有限公司【公司网站】
所在地中国陕西西安
联系人 蒲经理
价格 ￥188元/件 点此议价
采购量不限制
发布日期 2024-04-18 11:09 至长期有效

热线：17792574070

来电请说明在第一枪看到，谢谢！

CNAS 认可实验室于大功率器件测试服务中心产品详情

查看全部图示仪产品>>

产地:陕西西安
品牌:长禾实验室
品牌:其他
类型:半导体图示仪
型号:长禾
测试电压范围:6000V
测试电流范围:4500A

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断*服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承*务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。

检测项目	覆盖产品		检测能力			参考标准
功率循环试验（PC）		IGBT模块		ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V	IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件		温度150℃；电压2000V	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门试验（HTGB）		MOSFET、SiC MOS等单管器件		温度150℃；电压2000V	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件		温度150℃ 电压2000V	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件		温度80℃ 电压2000V	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温储存试验（HTSL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度150℃；	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温储存试验（LTSL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度80℃	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温高湿试验（THB）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度180℃ 湿度范围：10%~98%	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高低温循环试验（TC）		MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度范围：-80℃~220℃	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件		ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
稳态功率试验（SSOL）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件		ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高加速应力试验（HAST）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度130℃/110℃ 湿度85%	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验（UHAST）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度130℃ 湿度85%	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温蒸煮试验（PCT）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品		温度121℃ 湿度100%	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
预处理试验（Pre-con）		所有SMD类型器件		设备满足各个等级的试验要求	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
潮气敏感度等级试验（MSL）		所有SMD类型器件		设备满足各个等级的试验要求	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*可焊性试验（Solderability）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件		有铅、无铅均可进行	美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等

以上内容为CNAS 认可实验室于大功率器件测试服务中心，本产品由西安长禾半导体技术有限公司直销供应。

声明：第一枪平台为第三方互联网信息服务提供者，第一枪（含网站、小程序等）所展示的产品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由会员企业发布，其真实性、准确性和合法性均由会员企业负责，第一枪概不负责，亦不负任何法律责任。第一枪提醒您选择产品/服务前注意谨慎核实，如您对产品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的，请与该企业沟通确认；如您发现有任何违法/侵权信息，请立即向第一枪举报并提供有效线索。我要举报