大芯片桥堆-MT5010大芯片桥堆-ASEMI(诚信商家)

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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，大芯片桥堆，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，MT5010大芯片桥堆，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。

品牌：ASEMI

封装：D-63

特性：单相整流方桥

电性参数：50A1000V

芯片个数：5

浪涌电流If*：500A

工作温度：-55~ 150℃

恢复时间(Tr*ns

引线数量：5

MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V

MT5016的包装方式：100/盒，500/箱

整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用

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MT3516A

三相整流方桥

型号：MT3516A

品牌：ASEMI

封装：D-63

特性：三相整流方桥

电性参数：35A1600V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：35A

芯片个数：4

正向电压(VF)：1.05V

芯片尺寸：180

浪涌电流If*：500A

漏电流(I*uA

工作温度：-55~ 150℃

恢复时间(Tr*ns

引线数量：5

镭射激光打标，不易褪色；环氧树脂塑封，绝缘稳定性好

框架引脚采用无氧铜材料，内阻小导电性好，镀锡防氧化

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大功率整流桥D50XT160 三相，D50XT120大芯片桥堆，替代台半， 日本新电元同型号参数。

品牌 ASEMI

封装 DXT-5

温度 -55~ 150℃

芯片材质 GPP硅

正向平均电流 50Amp

峰值反向耐压 1600V

浪涌电流IFSM 500A

三相整流桥由三对反串联的二*管并联组成，使用三相电压，直流输出电压为交流输入电压的2.34倍。