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电池片各工艺流程危害要素及异常现象

4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，秦皇岛二手组件，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的*，使反映不会很强烈，变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣*具备酸和络合剂的双向*，*盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。

基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，返修二手组件回收，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。

操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，晶体硅二手组件回收，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。

电池片的检验

一十三、印刷图型

主栅线：

*：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）

新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。

B级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）

新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）

C级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况

新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm，

副栅线：

*：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.

新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。

B级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的10%.

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5 、 检测方法

5.1 设计和结构

5.1.1 基体材料

电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。

5.1.2 电*

5.1.2.1 电池电*的完整性、电*图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目测电*是否变色。

5.1.2.3 电池电*的导电性按 GB/T17473.3 进行。

5.1.2.4 电池电*的可焊性按 GB/T17473.7 进行。

5.1.3 背面铝膜

5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测

通过检测电池的弯曲变形，验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验

如图 2 所示放置样品，在满足 EVA 充分交联的条件下压层，取出后立即撕下四氟布，待冷却到室温后，用刀割断 EVA 和铝膜，撕去 EVA 条，观察有无铝膜脱落。

5.1.3.3 背面铝膜外观检验

背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量，图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。

5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。

5.1.4 减反射膜附着强度检测

减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行，减反射膜不脱落。