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CMP技术的概念是1965年由Ma*提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面,如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中,两酸抛光厂家,而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后,CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,CMP通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。




随着环保意识及法规的加强,目前越来越多的工厂选择两酸抛光工艺。但是两酸在3C产品生产过程中存在以下问题:1.当抛光液中铝离子浓度超过16g/L时,两酸抛光配方,抛光带有通孔或盲孔的喷砂工件时会产生抛痕,尤其当喷砂工件为Al5252材质的铝合金时抛痕更为明显。2.对经T处理的铝塑复合件抛光时铝塑交界处易出现不均匀,塑料件易发黄。3.铝合金工件在自动抛光线上抛光时在工件转移过程中所需时间通常在18秒以上,两酸抛光剂,铝型材化抛生产线转移所花的时间更长通常在30秒以上,在转移过程中由于抛光液的滴趟会在表面形成不规则的流痕,影响外观效果。




突出特点编辑1、适用范围广,可适用200、300、400系列各种材质的不锈钢;2、抛光液不含铬离子,符合当今环保要求,节省环保设备投资及废水处理费用;3、抛光电流密度小,电压低,黄山两酸抛光,电能消耗较传统工艺低1倍以上;4、抛光,质量好,数分钟内可抛至镜面光亮;5、抛光液使用寿命长,易于维护管理。状态:透明液体; 酸碱性:酸性; 可燃性:不燃不爆; 腐蚀性:有腐蚀性,1、推荐工艺:(除油除锈活化→水洗→晾干)→电解抛光→水洗→钝化→水洗→中和→水洗;2、原液使用,铅板做阴*(负*),不锈钢工件做阳*(正*),温度为 60-65度,电流密度为10-25安培/平方分米,电压8—10伏,电解时间5-8分钟。(根据用户不同的要求可浸5-40分钟)




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