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功率循环试验分析实验室

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功率循环试验分析实验室

功率循环试验分析实验室
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热线:17792574070
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功率循环试验分析实验室产品详情

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  • 品牌:其他
  • 型号:长禾

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBODE等模块产品;

检测电压:7500V 检测电流:6000A

*,IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBODE,第三代半导体器件等单管器件

检测电压:2500V 检测电流:200A

美军标

栅电阻

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

检测阻0.1Ω~50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBODE及第三代半导体单管器件;

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,*,IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

*,IEC

反向恢复

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,*,IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

*,IEC

栅电荷

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:200A

美军标,*,IEC等

栅电荷

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:4000A

*,IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:1200V 检测电流:1000A

美军标,*,IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测电压:2700V 检测电流:10000A

*,IEC

结电容

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

检测电压:3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测电压:3000V 检测电流:1500A 温度:-70°C~180°C

美军标,IEC等

热阻性能

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品

功率:250W

美军标,JEDEC

热阻性能

IGBT等模块产品

功率:4000W

美军标,JEDEC

ESD能力

MOSFET、IGBT、IC等产品

HBM电压:8000V;MM电压:800V

美军标,ANSI,JEDEC等

*正向浪涌能力

DIODE(Si/SiC)、整流桥

检测电流:800A

美军标,*

以上内容为功率循环试验分析实验室,本产品由西安长禾半导体技术有限公司直销供应。
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