阜新*蒸发镀靶材-沈阳东创【环保节能】

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。

绑定的适用范围

技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。

建议绑定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；

锡、铟等软金属靶；

靶材太薄、靶材太贵的情况等。

但下列情况绑定有弊端：

1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；

2.*靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。

热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，阜新*蒸发镀靶材，烧结温度较低，*蒸发镀靶材厂，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。