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电光调制器

铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点,主要用于高速光通信系统中光啁啾控制,相干通信系统中的相移,ROF系统中边带的产生以及减小模拟光纤通信系统中的受激布理渊散射(SBS)等领域。

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电光调制器的设计与选择

调制晶体对电光调制的效果影响显著,在选择晶体时应注意以下几点:光学性能好,折射率均匀,吸收色散损耗小,透明度高,电光系数大,高稳定电光相位调制器,物理性能优越等等。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体,由于KDP类晶体的物理性能不佳,容易发生潮解,因此其调制性能往往受到环境限制,高稳定电光相位调制器报价,而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能,是电光调制晶体设计的理想材料。

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电光调制器的物理基础

光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约,而折射率的分布又与其介电常量(电容率)密切相关。晶体折射率可用施加电场E的幂级数表示,即或写成式中, γE 是一次项,由该项引起的折射率变化,称为线性电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应;由二次项 bE2 引起的折射率变化,高稳定电光相位调制器价格,称为二次电光效应或克尔(Kerr )效应。对于大多数电光晶体材料,一次效应要比二次效应显着,可略去二次项。

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