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等离子体增强化学气相沉积的主要过程

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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，在非平衡等离子体中，气相化学沉积设备报价，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，气相化学沉积设备公司，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。

等离子体化学气相沉积的化学反应

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等离子体内的化学反应

由于辉光放电过程中对反应气体的激励主要是电子碰撞，因此等离子体内的基元反应多种多样的，而且等离子体与固体表面的相互作用也非常复杂，这些都给PECVD技术制膜过程的机理研究增加*度。迄今为止，许多重要的反应体系都是通过实验使工艺参数较优化，从而获得具有理想特性的薄膜。对基于PECVD技术的硅基薄膜的沉积而言，如果能够深刻揭示其沉积机理，便可以在保证材料优良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉积速率。

化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，NASA 开始尝试使用金属有机化合*学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，气相化学沉积设备价格，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。

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