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其电路图形的转移采用上述任何原材料都无法达到其技术指标。因此研制与开发更新型的光致*蚀剂-阳*法电沉积光致*蚀剂(ED法)其基本原理是将水溶性的有机酸化合物等溶于槽液内,形成带有正、负荷的有机树脂团,而把基板铜箔作为一个*性(类似电镀一样)进行“电镀”即电泳,在铜的表面形成5-30μm光致*蚀膜层,陶瓷厚膜电路,是可控制的。其分辨率可达到0.05-0.03mm。这种电路图形转移材料是很有发展前途的工艺方法。当然任何新型有图形转移材料都有它的局限性,随着高科技的发展还会研制与开发更适合更佳的原材料。

一、厚膜混合集成电路

在绝缘基板上(通常为陶瓷)用厚膜技术制作出无源元件及其互联线,再采用厚膜组装技术组装上半导体有源器件、IC芯片和其它无源器件(如薄膜电阻或多层陶瓷电容器)组成具有一定功能的混合微电路——厚膜混合集成电路。 “混合”是因为它们在一种结构内组合两种不同的工艺技术:半导体技术 (如:有源芯片器件)和厚膜技术(成批制造的无源元件)。


例1-7某晶闸管元件测得UDRM=840V,URRM=980V,试确定此晶闸管的额定电压是多少?

解:根据将UDRM和URRM中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值,将两者较小的840V按教材表1-2取整得800V,该晶闸管的额定电压为8级(800V)。

例1-8 有些晶闸管触发导通后,触发脉冲结束时它又关断是什么原因?

解:晶闸管的阳*加正向电压,厚膜电路价格,门*加正向触发脉冲时,晶闸管被触发导通。此后阳*电流逐渐上升到擎住电流后,去掉触发脉冲,则管子继续导通,全国厚膜电路,知道电流升到负载电流后,进入正常工作状态。如果阳*电流还没有升到擎住电流值就去掉门*脉冲,则晶闸管就不能继续导通而关断。


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