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条宽损失 (Etch bias) 过蚀刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀 性。 残留物 (Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。 微掩膜(Micro-masking)-- 由于微粒,玻璃镜片批发,薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。 糊胶(Resist reticulation)-- 温度超过 150 摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。 纵横比(Aspect ratio)-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。

六、酸/碱体积比的检验方法: 开机运行到设定温度后(约 15~20 分钟),测试酸液及碱液的体积比,在规定范围内方可进行生产。 1.酸液 1)新配酸液和使用过的酸液的测定 a.将酸液稀释 用吸量管吸取 10ml 酸液,放入 100ml 容量瓶中,然后加入纯水至刻度处,盖好玻璃塞,摇匀备用; b.测定酸液当量体积 用吸量管吸取 10ml“a”之稀释液,放入锥瓶中,加入纯水 30ml 摇匀,镜片批发,再加入酚酞指示剂 1~3 滴并记下锥瓶 内溶液的体积为 V1,再取*(NaOH)标准溶液倒入滴管内一般以 50ml 为基准,然后缓慢滴入锥瓶中, 滴至粉红色后摇匀一分钟后*为终点,计下此时锥瓶内的数据为 V2,根据以下公式计算出溶液的体积
光刻和蚀刻技术,PMMA镜片批发,用光胶、掩膜、和紫外光进行微制造,亚克力镜片批发,由薄膜沉积,光刻和蚀刻 三个工序组成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆盖一层薄膜,薄膜的厚度为数埃到几十微米,称为薄膜 沉积。然后在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶,将掩膜上微流控芯片设计 图案通过*成像的原理转移到光胶层的工艺过程称为光刻。 ? 光刻的质量则取决于光*蚀剂(有正负之分)和光刻掩膜版的质量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射(如紫外光)时,在图形区和非图形区产生不同的光吸收和 透过能力。
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