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在负载RL中有电流流过,其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。光照强处对应阻值较小,流过负载RL的电流就较大,空气能价格,因而RL两端产生的压降也就较大。负载电阻RL上形成电压就是摄像管输出的图像信号。光电转换过程(图像的摄取过程):被摄景物通过摄像机的光学镜头在光电靶上成像,被电子束将这幅图像分解为像素,空气能安装,同时把各个像素的亮度转变为在负载电阻RL上大小不同的电压降,从而形成摄像管输出信号。




















为更有效的利用由电子与空穴来产生电流,因此必须加入电场使自由电子与空穴分离进而产生电流。1产生电场的方式很多如PN接面、金属半导体接面等,其中*1常用的方式为PN接面。提高自由电子浓度常用的方法是在硅中加入少量的五价原子,五价原子的四个价电子与硅键结后剩下一个价电子,使剩下的价电子游离只需要0.05ev,空气能维修,比原来的1.1ev小很多,在室温超过200度k时即可使所有杂质产生自由电子,同样在硅中加入少量的三价原子可以提高空穴浓度。


















硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴,会向PN结方向扩散。扩散过程中,一部分电子和空穴复合消失,空气能,大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下,大部分光生空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结;大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结,到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累,会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差,这就是光生电动势。

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