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150度进口陶瓷电容

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按美国电工协会(*)标准为C0G(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为COG)或NP0(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为NPO)以及我*准的CC系列等型号的陶瓷介质(温度系数为0±30PPM/℃),这种介质****其稳定,温度系数****低,而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到400,介电强度相对高。这种介质非常适用于高频(特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器)、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境,这种介质电容器的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常1206 表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01μF。






进口260度高温电容

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MLCC的直流偏置效应

直流偏置效应会引起电容值改变

小尺寸电容取代大尺寸电容不简单

记住向供应商索要系统****常用电压的综合曲线

在选择MLCC时还必须考虑到它的直流偏置效应。电容选择不正确可能对系统的稳定性造成严重*。直流偏置效应通常出现在铁电电介质(2类)电容中,如X5R、X7R、及Y5V类电容。



150度高压电容

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半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时,发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面****间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种,早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷,这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低,以至于在高湿度环境的电场作用下,电容器在耐压试验过程中或工作初期,北京150度直插电容代理,就产生击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移,陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物,使漏电流局部*,可引起热击穿,使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中,因为击穿时局部发热严重,较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。


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