天津变频器用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)
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- 名称深圳市华科智源科技有限公司 【公司网站】
- 所在地中国
- 联系人 陈少龙
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价格
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- 采购量 不限制
- 发布日期 2020-06-12 10:39 至 长期有效
天津变频器用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)产品详情
2.2反向恢复技术条件测试参数:1、Irr(反向恢复电流):50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、Qrr (反向恢复电荷):1~1000uC1~50uC±5%±0.1 uC50~200uC±5%±1 uC200~1000uC±5%±2 uC3、trr(反向恢复时间):20~2000ns20~100±5%±1ns100~500±5%±2ns500~2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ0.5~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ50~200mJ±5%±1mJ200~1000mJ±5%±2mJ测试条件:1、正向电流IFM:50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围:200~10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围:100~10000V/us
3.1开通时间Ton测试原理框图图3-1开通时间测试原理框图其中:Vcc 试验电压源±VGG 栅*电压C1 箝位电容Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二*管)L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电*电流取样电流传感器DUT 被测器件开通时间定义(见下图):栅*触发信号第二个脉冲上升的10%到集电*电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电*电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,变频器用IGBT测试仪加工,则ton= td (on) tr
IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二*管等)的动态参数测试,变频器用IGBT测试仪厂家,以表征器件的动态特性,变频器用IGBT测试仪价格,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件,设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件,所有资料必须准备(正本、副本)各一份,天津变频器用IGBT测试仪,电子版一份;(正本、副本)技术资料,应至少有一份采用中文,另一份技术资料可以是英文或中文。
天津变频器用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司(www.igbts*.cn)在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情,华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创*。相关业务欢迎垂询,联系人:陈少龙。
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