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基于Virtuoso/Laker/GDS版图布局布线环境或通用版图文件的三维电磁Fangzhen，可用于检查电路连接，分析电流电压分布，可以对任意形状版图（路径、任意多边形、金属填充以及开槽等）进行电磁仿zhen，生成S参数模型、RLCK电路物理模型、symbol、spice等。结果可以同步到Cadence，与Spectre/SPICE电路器进行联合电路仿zhen。

l 可以对不同金属层设置不同的仿zhen类型，即节省时间，又提zhen精度；

l 充分考虑趋肤效应，可对于厚金属在nu、nv、nz三个不同的方向分别进行更细密的剖分，提zhen精度，支持多层叠层电流的剖分，可以提升仿zhen精度；

l t-processing功能，可以方便的进行数据处理；

l 支持温度与corner扫描，既可以单独扫描某些温度点或者corner，也可以做温度与corner的组合扫描；

l 支持super-cell功能，可以将Layout代入到schematic中进行，充分验证器件性能；

l 仿zhen结果考虑版图效应（LDE）：Peakview会识别PDK中的LDE信息，转换配置文件时以方块电阻变化表、线宽变化表映射LDE信息。peakview根据不同的设计尺寸来查表，调用实际的方块电阻和线宽值，确保仿zhen结果更接近实测值。

? 软件支持多核处理和分布式计算，可以同时对于多个器件同时进行电磁场模拟分析；软件可以有效地利用LSF，将运算工作分布到多个计算机系统，支持分布式计算；

? 支持多线程计算和负载共享（LSF），加速大规模并行计算sim。

? 软件支持多核处理和分布式计算，可以同时对于多个器件同时进行电磁场模拟分析；软件可以有效地利用LSF，将运算工作分布到多个计算机系统，支持分布式计算；

? 支持多线程计算和负载共享（LSF），加速大规模并行计算sim。

随着数据链路和内存链路的不断发展， 芯片之间的 IO 接口速度已超出 10GB/s。 但信号

带宽受到 IO 电容的严重影响， 为了消除 IO 电容造成的信号损耗， 原始的方案是使用高灵

敏度接收单元或者增添均衡器， 但这样会增加额外电路成本和功耗， 所以降低 IO 电容是一

个研究方向。

IO 电容有多个组成部分， 占比的是 ESD 结构电容（因为要提供满足要求的 ESD 容

限，导致电容较大），为了满足 2KV HBM 和 500V CDM 等 ESD 设计要求， ESD 电容很难做小，

例如， 将其降到 0.4pF 非常困难。

除了 ESD 电容外， 金属走线、 有源器件、 开关等的寄生电容对 IO 电容也有贡献， 因此，

将 IO 电容控制在 1PF 是比较困难的