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测井210度高温存储器存储器

测井210度高温存储器

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动态随机存取存储器的缺点

动态随机存取存储器（DRAM）是以一个电晶体加上一个电容来储存一个位（1bit）的资料，由于传统 DRAM 的电容都是使用“氧化矽”做为绝缘体，氧化矽的介电常数不够大（K 值不够大），因此不容易吸引（储存）电子与电洞，造成必须不停地补充电子与电洞，所以称为“动态”，只要电脑的电源关闭，电容所储存的电子与电洞就会流失，DRAM 所储存的资料也就会流失。

要解决这个问题，****简单的就是使用介电常数够大（K 值够大）的材料来取代“氧化矽”为绝缘体，让电子与电洞可以储存在电容里不会流失。目前业界使用“钛锆酸铅”（PZT）或“钽铋酸锶”（SBT）这种介电常数很大（K 值很大）的“铁电材料”（Ferroelectric material）来取代氧化矽，则可以储存电子与电洞不会流失，让原本“挥发性”的动态随机存取存储器（DRAM）变成“非挥发性”的存储器称为“铁电随机存取存储器”（Ferroelectric RAM，FRAM）。

150度EEPROM高温存储器

150度高温存储器 我司目前仅有25LC系列，H 150度温度级别小容量64K bit现货，数量不多欢迎选购。另外其同系列，256k bit. 25LC640A 25LC256.如有兴趣，欢迎致电本司。

主存储器(Main memory)，简称主存。是计算机硬件的一个重要部件，其作用是存放指令和数据，并能由*处理器(CPU)直接随机存取的。现代计算机是为了****性能，测井150度存储器价格，又能兼顾合理的造价，往往采用多级存储体系。即由存储容量小，存取速度高的高速缓冲存储器，存储容量和存取速度适中的主存储器是必不可少的。主存储器是按地址存放信息的，存取速度一般与地址无关。32位(比特)的地址能表达4GB的存储器地址。这对多数应用已经足够，但对于某些特大运算量的应用和特大型数据库已显得不够，从而对64位结构提出需求。

150度进口存储器

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PROM，称之为可编程存储器。这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。

EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线就象“消字灵”，能把字去掉，然后再重写。当然消的次数多了，也就不灵光了，所以这种芯片能擦除的次数也是有限的——几百次吧。

FLASH，称之为闪速存储器，它和EPROM类似，写上去的东西也能擦掉重写，但它要方便一些，不需要光照了，只要用电学办法就能擦除，所以就方便许多，而且寿面也很长（几万到几十万次不等）。

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