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汽车行业 1999 年的腐蚀损失约为 242 亿元。以重庆汽车腐蚀调查为例,重庆市系内陆盆地,夏季闷热,冬天潮湿,年平均气温较高,其环境大气中的 Cl - 、SO 2 和 H 2 S 等含量高,下雨频率高,酸雨、大雾天气时有发生。车辆受大气环境的腐蚀十分严重,通常新车运行 1 年后就产生锈斑,2 年左右就有腐蚀穿孔现象发生。由于大面积腐蚀和腐蚀穿孔,通常车辆每年都要进行外涂装;2 年要进行换顶;4 年要进行面板、车顶的更换,大梁、车身骨架的维护,重庆市车辆年均总的腐蚀损失为 16057.1 万元。

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设备构成和性能指标

清洗的设备构成和性能指标清洗设备根据不同的生产厂商会有不同的设计,因此清洗设备的构成差别也比较大。但是,蚀刻面板加工,总的来说清洗设备基本包括以下几个单元:

EUV光照单元:

EUV即Eximer UV,是波长为172nm的紫外线。

是由专门的EUV Lamp发光产生。作为清洗设备的一部分,EUV的主要功能是去除玻璃基板表面的有机物。

EUV的工作原理简单来讲是这样的:EUV Lamp发出172nm的紫外线,照射到玻璃基板表面。玻璃基板表面的有机大分子会在紫外线的作用下解离成为无机小分子。同时,环境中的O2分子会在172nm紫外线的照射下解离成为游离的氧原子或者O3分子。无论是游离的氧原子还是O3分子都具有比较强的氧化性,可以与有机小分子反应生成水和二氧化碳。


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生产加工流程

首先将LCD面板/玻璃基板垂直放置于特定的匣具(Cassette)中,通过转载小车送入顶喷设备的清洗区,清洗去除蚀刻产品表面的异常杂质。完成清洗后,再通过设备中自动化的移动装置Moving Stage将转载蚀刻产品的卡匣输送至蚀刻区进行蚀刻。根据蚀刻工艺要求,待到规定时间后,转载产品的卡匣自动回到清洗区,清除蚀刻产品表面残留蚀刻药液,完成产品的蚀刻减薄。

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湿蚀刻是借适当的腐蚀性溶液对所欲去除的膜层利用化学反应来去除的制程。

优点:设备费用低廉,制程单纯且量产速度快等。

缺点:CD loss较大,不易将线宽控制得*为*等。易有under cut现象。

相比之下,干蚀刻异向性强,线宽稳定性易于控制,蚀刻面板加工厂,缺点为机台设备及维护费用高,量产速度慢。Procedure in wet etching湿蚀刻反应过程大概可以分为三个阶段:

(1)反应物质扩散到欲被蚀刻材质的表面

(2)反应物与被蚀刻薄膜反应

(3)反应物的产物从蚀刻表面扩散到溶液中,并随溶液排出。

在此三个阶段中,反应*慢者就是蚀刻速率的控制关键,就是说,该阶段的进行速率即是反应速率。


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蚀刻是制造薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFirm Transistor Liquid Crystal Display,TFT_LCD)阵列基板过程中的一个重要制程。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺,蚀刻面板加工厂家,干蚀刻工艺利用蚀刻气体进行蚀刻,湿蚀刻工艺利用蚀刻液体进行蚀刻。

现有的干蚀刻装置通常包括:真空腔(未图示)、设于所述真空腔内的上电*板(未图示)、与上电*板相对间隔设置的下电*板1、位于所述下电*板I下方用于承载下电*板I的绝缘板2、设于所述下电*板I上的静电吸附平台3、位于上、下电*板I之间的等离子体(Pla*a)真空放电区(未图示)、及与上、下电*板相连的电源(未图示),利用等离子体真空放电区内的高压电场互相作用所产生的等离子体来对设于静电吸附平台3上的晶元或玻璃基板4进行蚀刻。

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干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的。现有技术中,高速率干法刻蚀所用等离子激发手段主要为ICCP(Impressed Current CathodicProtect 1n,外加电流阴*保护),若要想进一步提高刻蚀速率,一般来说可以通过提高等离子体激励源频率来获得更高的等离子体截止密度,达到提高刻蚀速率的目的。但提高激励源频率会导致电*表面驻波等问题,导致刻蚀速率不均匀,无法大面积均匀刻蚀。


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