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兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用HF溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的HF溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：SiO2 6HF=H2 SiF6 2H2O

由于HF对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的HF溶液，或是添加NH4F作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。NH4F的加入可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂HF蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(体积比6:1之NH4F(40%)与HF(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此HF溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。

兴之扬蚀刻电视304不锈钢网小编给大家介绍晶间腐蚀是什么？

晶间腐蚀是金属材料在特定的腐蚀介质中，沿着材料的晶粒间界受到腐蚀，使晶粒之间丧失结合力的一种局部腐蚀*现象。受这种腐蚀的设备或零件，有时从外表看仍是完好光亮，但由于晶金属腐蚀

粒之间的结合力被*，材料几乎丧失了强度，严重者会失去金属声音，轻轻敲击便成为粉末.　　据统计，在石油、化工设备腐蚀失效事故中，晶间腐蚀约占4%～9%，主要发生在用轧材焊接的容器及热交换器上.　　一般认为，晶界合金元素的贫化是产生晶间腐蚀的主要原因。通过提高材料的纯度，去除碳、氮、磷和硅等*微量元素或加入少量稳定化元素（钛、铌），以控制晶界上析出的碳化物及采用适当的热处理制度和适当的加工工艺，可防止晶间腐蚀的产生。

兴之扬SMT蚀刻不锈钢网小编给大家介绍应力腐蚀是什么？

材料在特定的腐蚀介质中和在静拉伸应力（包括外加载荷、热应力、冷加工、热加工、焊接等所引起的残余应力，以及裂缝锈蚀产物的楔入应力等）下，所出现的低于强度*限的脆性开裂现象，称为应力腐蚀开裂。

应力腐蚀开裂是先在金属腐蚀蚀敏感部位形成微小凹坑，产生细长的裂缝，且裂缝扩展很快，能在短时间内发生严重的*。应力腐蚀开裂在石油、化工腐蚀失效类型中所占比例高，可达50%.应力腐蚀的产生有两个基本条件：一是材料对介质具有一定的应力腐蚀开裂敏*；二是存在足够高的拉应力。导致应力腐蚀开裂的应力可以来自工作应力，也可以来自制造过程中产生的残余应力。据统计，在应力腐蚀开裂事故中，由残余应力所引起的占80%以上，而由工作应力引起的则不足20%.

应力腐蚀过程一般可分为三个阶段。一阶段为孕育期，在这一阶段内，因腐蚀过程局部化和拉应力作用的结果，使裂纹生核；第二阶段为腐蚀裂纹发展时期，当裂纹生核后，在腐蚀介质和金属中拉应力的共同作用下，裂纹扩展；第三阶段中，由于拉应力的局部集中，裂纹急剧生长导致零件的*.

在发生应力腐蚀*损时，并不发生明显的均匀腐蚀，甚至腐蚀产物少，有时肉眼也难以发现，因此，应力腐蚀是一种非常危险的*.

一般来说，介质中氯化物浓度的增加，会缩短应力腐蚀开裂所需的时间。不同氯化物的腐蚀作用是按Mg2 、Fe3 、Ca2 、Na1 、Li1 等离子的顺序递减的。发生应力腐蚀的温度一般在50℃～300℃之间.　　防止应力腐蚀应从减少腐蚀和消除拉应力两方面来采取措施。主要是：一要尽量避免使用对应力腐蚀敏感的材料；二在设计设备结构时要力求合理，尽量减少应力集中和积存腐蚀介质；三在加工制造设备时，要注意消除残余应力。