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达到晶体生长的条件，子晶就从熔化物中慢慢被提起。生长过程开始于快速提拉子晶，以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到****少。然后降低拖拉速度，使晶体的直径*。当达到所要求的直径时，生长条件就稳定下来以保持该直径。

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种子是慢慢浮出熔化物的，种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜，然后冷却。冷却时，已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时，它的初始直径要比****终晶圆片要求的直径大一点。

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接下来硅锭被刻出一个小豁口或一个*面，以显示晶向。一旦通过检查，就将硅锭切割成晶圆片。由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金刚石锯也****于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。

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