太阳能电池片回收-振鑫焱光伏科技(推荐商家)

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴****上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的*能。电子与气相分子的碰撞可以****气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. ****产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电****上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电****。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

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2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc = I L ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，太阳能电池片回收，面积越大， I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的****限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池短路电流的变化值，太阳能电池片回收采购，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。

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5 、 检测方法

5.1 设计和结构

5.1.1 基体材料

电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。

5.1.2 电****

5.1.2.1 电池电****的完整性、电****图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目测电****是否变色。

5.1.2.3 电池电****的导电性按 GB/T17473.3 进行。

5.1.2.4 电池电****的可焊性按 GB/T17473.7 进行。

5.1.3 背面铝膜

5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测

通过检测电池的弯曲变形，验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验

如图 2 所示放置样品，在满足 EVA 充分交联的条件下压层，取出后立即撕下四氟布，待冷却到室温后，用刀割断 EVA 和铝膜，撕去 EVA 条，观察有无铝膜脱落。

5.1.3.3 背面铝膜外观检验

背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量，图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。

5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。

5.1.4 减反射膜附着强度检测

减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行，减反射膜不脱落。