场效应管型号-北京场效应管-艺炫

艺炫电子科技——MOS管

MOS管开关电路

学习过模拟电路的人都知道三****管是流控流器件，也就是由基****电流控制集电****与发射****之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅****上所加的电压控制漏****与源****之间电流。

MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，场效应管价格，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。

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MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源****间电容又非常小，所以****易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在****间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电穿。静电穿有两种方式：一是电压型，即栅****的薄氧化层发生击穿，形成孔，使栅****和源****间短路，或者使栅****和漏****间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，场效应管哪家好，造成栅****开路或者是源****开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。

艺炫电子科技——大功率MOS管

大功率MOS管构造

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N 区，并用金属铝引出两个电****，分别作为漏****D和源****S。然后在漏****和源****之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电****，作为栅****G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅****和其它电****间是绝缘的

艺炫电子科技——大功率MOS管

P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。

如上图，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G****）是高电平，北京场效应管，VGS=0，此时P-MOS关断，电压没有输出到右边。

如果GPIO被拉高，T2001导通，MOS管G****被拉低，VGS=VBAT，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。