澳晶硅材料 (图)-多晶小方锭生产-甘肃多晶小方锭

因而需要探索一种新的多晶硅锭的制备方法，以解决上述存在的技术问题。

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法可制得转换*的多晶硅锭，制得的多晶硅锭晶粒细小且分布均匀，对应晶砖少子寿命高且低少子寿命杂质点少，无明显枝晶和孪晶产生。

本发明是通过以下技术方案予以实现的。

一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法步骤如下:(I)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5: 5 - 7: 3的质量比混合均匀形成混合浆料，将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层；(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层，所述形核源的粒度为30 - 100目，形核源层的厚度为I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层；(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层，以****形核源在装料过程中遭到*，所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成，所述保护层的厚度为I一 20_ ;

(6)向坩埚内装载固体硅料，关闭多晶硅铸锭炉的保温罩，加热坩埚至1530 - 1560°C直至固体硅料完全熔化成硅液；(7)

通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度，打开保温罩，将保温罩升高5 — 8cm，多晶小方锭生产，将多晶铸锭的顶部*区域温度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩埚底部温度降低，坩埚底部硅液处于过冷状态，利用形核源层形核结晶从而得到****多晶硅锭，所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。

定向凝固冶金法太阳能多晶硅提纯设备

[简介]： 一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法，多晶小方锭厂家，涉及一种多晶硅的提纯方法。将工业硅粉放入盐酸中浸泡，然后用去离子水冲洗；将硅粉和铁粉放入石墨坩埚，多晶小方锭****商家，再将石墨坩埚放入定向凝固炉中，关闭炉盖，抽真空至10Pa以下，通入气；打...

一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法

[简介]： 本发明涉及一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场，包括熔化、长晶、退火和冷却过程；铸锭多晶热场中的保温腔是由顶板、侧壁、和底板三部分组成的；其中顶板位置固定，侧壁和底板可上下移动，根据长晶过程的不同阶段的需...

针对常规铸锭方式所生产的多晶硅锭位错密度高、晶界无规则分布和晶粒分布不均匀等问题，国内部分铸锭厂家借鉴了类单机的生长工艺，通过在坩埚底部铺设碎多晶硅料等方法，利用硅料半熔工艺制得了晶粒分布均匀的****多晶硅锭，其中****为*的如台湾中美矽晶的A3 硅片，国内的协鑫S2 和赛维的M2 硅片等。虽然利用半熔引晶生长技术，可以获得位错密度低、晶界结构规则且晶粒分布均匀的****多晶硅锭，但存在以下缺陷:(1)半熔引晶生长工艺在熔化阶段，需要通过插入高纯石英棒来控制硅料的熔化高度，操作难度高；(2)半熔引晶生长工艺 由于在熔化阶段存在部分未熔化硅料，导

致硅锭底部的硅料凹凸不平整，且在侧面有气孔存在，甘肃多晶小方锭，使得硅料难以打磨回收再利用，导致硅料损耗较大；(3)半熔引晶生长工艺由于底部有未熔化的硅料，导致单锭的硅料有效利用部分相较传统硅锭生产工艺有明显降低，且加工成本较高，不利于光伏平价上网目标的实现。