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冠测精电(查看)-新型介质损耗测试仪的使用方法技术参数

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冠测精电(查看)-新型介质损耗测试仪的使用方法技术参数

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6、输出功率:1.5KVA

7、显示分辨率:3位、4位(内部全是6位)

8、测试方法:正接法、反接法、外接试验电压法

9、测量范围:内接试验电压:

tgδ:99.9%

Cx :50 pF<Cx(2.5KV)<0.3UF

2.5KV

Cx<0.3uF

0.5KV Cx<1.5uF

外接试验电压:

由外接试验变压器输出功率而定

10、基本测量误差:介质损耗(tgδ):1%±0.09%

电容容量(Cx):1.5%±1pF

11、分辨率: tgδ:0.01%

Cx :0.1pF

12、试样要求:直径为50MM、100MM、38MM


一、性能特点:

■ 测试频率20Hz~2MHz,10mHz步进

■ 测试电平10mV~5V, 1mV步进

■ 测试精度0.05%

■ 高达200次/s的测量速度

■ 320×240点阵大型图形LCD显示

■ 五位读数分辨率

■ 可测量22种阻*参数组合

■ 四种信号源输出阻*

■ 10点列表扫描测试功能

■ 内部自带直流偏置源

■ 外置偏流源至40A(配置两台TH1776)(选件)

■ 电压或电流的自动电平调整(ALC)功能

■ V、I测试信号电平监视功能

■ 图形扫描分析功能

■ 20组内部仪器设定可供储存/读取

■ 内建比较器,介质损耗测试仪jyc参数报价,10档分选及计数功能

■ 多种通讯接口方便用户联机使用

■ 2m/4m测试电缆扩展(选件)

■ 中英文可选操作界面

■ 可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序

二、主要用途:

无源元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻*参数评估和性能分析。

半导体元件:变容二****管的C-VDC特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析

其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻*评估

介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估

磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估

半导体材料:半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性

液晶材料:液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性



输出阻*

10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω

基本准确度

0.1%

L

0.0001 uH ~ 9.9999kH

C

0.0001 pF ~ 9.9999F

R,X,Z,DCR

0.0001 Ω ~ 99.999 MΩ

显*围

Y, B, G

0.0001 nS ~ 99.999 S

D

0.0001 ~ 9.9999

Q

0.0001 ~ 99999

θ


校准功能

开路 / 短路点频、扫频清零,负载校准

等效方式


显示器

320×240点阵图形LCD显示

存储器


材料介电性能试验测控系统试验报告(非接触法)

序号

频率

介电常数

介质损耗

试样厚度(mm)

电****直径(mm)

1

1KKHZ

4.38E 00

3.78E-03

3.00E 00

50

2

1KKHZ

4.38E 00

3.78E-03

3.00E 00

50

3

1KKHZ

4.47E 00

3.94E-03

3.00E 00

50

4

1KKHZ

4.47E 00

3.94E-03

3.00E 00

50

5

1KKHZ

4.47E 00

3.94E-03

3.00E 00

50

6

1KKHZ

4.47E 00

3.94E-03

3.00E 00

50


接口

LAN(LXI class C support)

RS232C

HANDLER

GPIB(选件)




新型介质损耗测试仪的使用方法技术参数-冠测精电由北京冠测精电仪器设备有限公司提供。行路致远,砥砺前行。北京冠测精电仪器设备有限公司(www.guance17.cn)致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴,更矢志成为试验机较具影响力的企业,与您一起飞跃,共同成功!

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  • 主营行业:精密科研仪器

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