电子束镀膜仪多少钱-电子束镀膜仪- 泰科诺

请教关于磁控溅射镀膜和电子束镀膜的区别

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

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这两个虽然都属于PVD，实际区别太大了，几乎没法比较，均匀性溅镀好，致密性溅镀好，沉积速率貌似是蒸镀高，具体建议楼主找相关书籍阅读。

一般蒸镀慢，附着力和致密性较溅镀差，颗粒尺寸较小，均匀性就看设备怎样了

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电子束蒸发与磁控溅射镀膜区别

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

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致密性

考虑Al膜的致密性就相当于考虑Al膜的晶粒的大小，密度以及能达到均匀化的程度，因为它也直接影响Al膜的其它性能，进而影响半导体哗啦的性能。

气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。

由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。

由于电子束蒸发的基片温度Ts=120°C，蒸发速率20—25A/s，蒸汽Al原子的能量为0.1—0.3eV，而溅射的基片温度Ts=120°C，溅射速率8000A/min(133.3A/s)或10000A/min(166.7A/s)，溅射阈为13eV，溅射Al原子的能量比电子束蒸发的Al原了能量高1—2个数量级，所以电子束蒸发的Al原子碰到基片，很快失去能量，且迁移率很小，故原子在表面上重新排列较困难，电子束镀膜仪批发，即沉积的地方就是*的地方成原子之间的空隙较大，有面粗糙度很大;溅射的基片温度较高，Al原子能量也较高，在而基片表面的原子迁移率*，使得薄膜表面横向动能较大，易于连结殂成光滑的表面，稳定性较高，晶粒较大，原子间距较小，因而形成的薄膜表面粗糙芳减小。

通过环境扫描电子显微镜philipsXL30-ESEM观测，并分析两种Al膜的晶粒大小及表面形貌的SEM照片也能验证这一结论，电子束蒸发的平均粒径为266.8nm，溅射的平均粒径为1.528μm，虽然电子束蒸发Al膜的粒径明显小于溅射的Al薄膜，但是电子束蒸发的Al原子较终不得靠得很近，当中存在很多间隙，而且溅射的Al原子相互靠得很紧，从侧面观测，溅射的Al膜平滑而且色泽光亮，说明溅射Al膜的致密较好。

溅射的晶粒较大还有一个好处，减小了晶界面积，从而减少电迁移短路通道的数目，有利于增强Al膜的*电迁移能力，延长Al膜的平均寿命。但晶粒尺寸不可太大，否则影响Al膜细线条图形的光刻质量。同时，溅射的Al膜晶粒虽大，但可以通过的后面的热处理使之细化并使性能更加优越。

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电子束蒸发使用安全规范?

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，电子束镀膜仪报价，硬质涂层设备等。

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电子束蒸发使用安全规范?

1、?实验前确认事项? A、开启液氮；? B、冷却机水箱是否具有足够的水。?2、?装样? A、?拧开样品台上的四个螺母，断开冷却水管，取出样品台；?B、?使用乙醇擦拭样品台与腔体的接口；?C、?装样；? D、?把样品台放入腔体，拧紧样品台的螺母，接上冷却水管。?3、?开机，抽真空? A、打开总电源，开启冷却水机；? B、打开电脑操作软件，启动分子泵以及机械泵。?4、?除气? A、?待腔体内气压低于10-3pa（时间允许情况下真空度尽量 低）；? B、?打开面板电源；?C、?HV降至0V；? D、?CoM设置为Filament?Current;?E、?Pocket?1设置为Enable；? F、?逐渐****Filament?Current至1A，注意不要使真空度降低 过快；? G、?将Filament?Current降至0，关闭Pocket?1。? 5、?镀膜? A、?HV升高至2?kV；? B、?CoM设置为HV?power；? C、?逐渐****其中HV?power（视工艺参数而定），同时注意不要使 真空度降低过快；? D、?打开蒸发源挡板，稳定5分钟；? E、?打开样品台挡板，电子束镀膜仪多少钱，正式镀膜，电子束镀膜仪，记录镀膜开始时间；?F、?关挡板，记录结束镀膜时间，降低HV?power至0?w，然 后降低HV至0?V（注意降低的顺序不可颠倒）；?G、?冷却30分钟。?6、?取样? A、?关闭分子泵以及机械泵，关闭冷却水机；? B、?待分子泵转速低于2000rpm，若电磁阀为自动开启需手动 开启，拧开样品台螺母，通入氮气至样品台可取出（勿正对玻璃观察窗）；? C、?断开冷凝水管，取出样品台，取样；?D、?将样品台放入腔体，接上冷凝水管。?7、?关机? A、?关闭总电源；? B、?关闭计算机（勿忘记关闭电磁阀）

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