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碘化浸出实验在集热式恒温加热磁力搅拌器中进行。首先取一定数量用铝箔包覆的烧杯,按实验需要编号。按照每批实验设计分别准确称取所需的碘和KI的量,并将其配制成30ml的碘-碘化钾溶液,分别装入预先编号的铝箔包覆的烧杯中。将编号的烧杯放入磁力搅拌器中,并加热到设定的实验温度。分别准确称取所需的酸浸渣量加入到各烧杯中,尾气收受系统工艺,开启磁力搅拌浸出到设定的时间,过滤并量取滤液体积。分析液相金银含量并计算金银的浸出率。








靶材的主要性能要求

纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,尾气收受系统,0.18um甚至0.13um,尾气收受系统工艺,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。


杂质含量:靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和*性元素含量都有特殊要求。


熔化光学玻璃的坩埚器皿材料及玻纤工业用漏板材料。在工业上应用的主要有两种弥散强化铂及铂合金。一种是以氧化锆(Zro2%26lt;0.5%(体积分数))弥散强化的铂及铂铑合金,即zGsPt和ZGSPt-RH,20世纪70年代中期由英国江森%26bull;发明,用内氧化法制造。ZGSPt的再结晶温度比纯铂高200℃,高温强度接近PtRhlO合金,在1400℃及5MPa应力作用下其高温断裂寿命是纯铂的100余倍。



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