东莞正刚鑫电子科技(图)|整流片式二*管|二*管

合金型在N型锗或硅的单晶片上，通过加入合金铟、铝等金属的办法制造PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。分散型在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片外表的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。* 近，运用大电流整流器的干流已由硅合金型转移到硅分散型。

东莞市正刚鑫电子科技有限公司成立于2007年，前身有十年的发展历史的东莞市正刚电子有限公司。致力于*被动元器件供应链服务商，研发、制造和服务，在MLCC、领域提供从技术到产品的一站式解决方案。

特性曲线与PN结一样，二*管具有单向导电性。硅二*管典型伏安

特性曲线（图）。在二*管加有正向电压，二*管，当电压值较小时，电流*小；当电压超越0.6V时，电流开端按指数规律*，一般称此为二*管的敞开电压；当电压到达约0.7V时，二*管处于*导通状况，一般称此电压为二*管的导通电压，用符号UD表明。关于锗二*管，敞开电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二*管加有反向电压，当电压值较小时，电流*小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超越某个值时，电流开端急剧*，称之为反向击穿，称此电压为二*管的反向击穿电压，用符号UBR表明。不同类型的二*管的击穿电压UBR值不同很大，从几十伏到几千伏。

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变容二*管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二*管称变容二*管。日本厂商方面也有其它许多叫法。经过施加反向电压， ；使其PN结的静电容量发生改变。因而，被使用于自动频率控制、扫描振动、调频和调谐等用处。一般，虽然是选用硅的分散型二*管，可是也可选用合金分散型、外延结合型、双重分散型等特别制造的二*管，由于这些二*管关于电压而言，其静电容量的改变率特别大。结电容随反向电压VR改变，替代可变电容，整流片式二*管，用作调谐回路、振动电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道变换和调谐电路，多以硅材料制造。

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