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高纯钨或超纯钨(5N或6N)由于具有高电子迁移*力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数，广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电****材料、布线材料和屏蔽金属材料。高纯金属钨靶是制造集成电路的基本材料之一，其市场前景与集成电路发展密切相关；若钨靶纯度不高，将造成大规模集成电路的作业可靠性降低，甚至产生泄电现象。采用高纯钨，可减少甚至消除*杂质的影响，****终端产品的性能 。

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高纯钨的用途日益增加，其中5N及以上高纯钨年消耗量为500t，预计到2020年其消耗量将增加到1200t，需求量日益增加，同时对W的纯度也将提出更高要求。由于W产品高纯度化和新功能化的发展跟不上电子元器件的需要，高纯钨及其相关产品质量较国外同类产品仍有一定的差距，许多相关技术尚处于实验室阶段，没有形成规模生产能力。

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高纯钨熔炼法。熔炼法是指将钨原料加热到其熔点以上形成液相，去除杂质后再冷却凝固实现致密化的过程，根据所采用的手段不同，具体方法有真空自耗电弧熔炼法、电子束熔炼法和等离子束熔炼法等。化学气相沉积法化学气相沉积是指以钨化合物气体（一般为WF6）为钨源，在一定温度下被H2还原，将生成的钨沉积在特定的基底上，沉积完成后去除基底材料获得致密钨坯（或者制品）的过程 。