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一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主,而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中,受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高,亦即何者为此外质半导体的“多数载子”(majority carrier)。和多数载子相对的是少数载子(minority carrier)。对于半导体元件的操作原理分析而言,少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。


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一般来说,一家半导体产业的相关企业,半导体设计公司,不会以单一的产品设计为主,在自己搞技术开发的同时,也会配备相关的生产流水线,生产自己的产品以获取利润,因为单一的设计不可能满足得了一个企业的需求,也不可能有足够这方面的人才,因为近几年来我国在半导体方面的人才需求量在400万以上,但是*学半导体或者光电工程****的毕业生却不到100万。


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掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说,一个p-n接面(p-n junction)的能带会弯折,起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同,但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度,造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。


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