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- 名称苏州振鑫焱光伏科技有限公司 【公司网站】
- 所在地中国
- 联系人 贾先生
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价格
面议
点此议价
- 采购量 不限制
- 发布日期 2018-09-06 22:17 至 长期有效
热线:13255173949
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抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,****电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低
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在米粒大的硅片上,新乐组件回收,已能集成16万个晶体管,这是科学技术进步的又一个里程碑。地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量****丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(mas*arket)的产品而言,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之
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气压下辉光放电的阴****上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下,使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大为减少,电池的短路电流和输出就有很大增加,效率也有相当的****。
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