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检测10PF~0.01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三****管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三****管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射****e和集电****c相接。由于复合三****管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,微型零部件高速缺陷检测机,特别是在测较小容量的电容时,IC芯片高速缺陷检测机,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。对于0.01μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。







电容式传感器一般是将被测量的变化量转换为电容量的变化。目前,基于这种原理的各种类型的传感器已在测量加速度、液位、几何孔径等方面得到了广泛的应用。但以电容为变化量的传感器(尤其是MEMS传感器),其电容变化范同往往只有几个pF,高速缺陷检测机,甚至几个fF。这便对电容检测的精度提出了很高的要求,尤其是在传感器的研发过程中,



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