苏州拓光微电子(图)_半导体设计服务_无锡半导体设计

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在中国，半导体行业的发展尚未形成比较完整的产业链，半导体产业现在主要是光电二****管以及其相关应用的研发，制造****为热门。虽然经过改革开放近30年的发展，半导体产业显示出其强大的生命力量，并在近年来取得飞速发展，半导体设计服务，但是，无锡半导体设计，我国的半导体产业存在问题很多，就比如计算机的内存，CPU的制造这些高1端产品的生产长期被国外的厂商垄断。

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哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主（donor）与受主（acceptor）。施主原子带来的价电子（valence electr*）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施主原子微弱地束缚住，这个电子又称为施主电子。和本质半导体的价电子比起来，施主电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。虽然施主电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施主原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-type semiconductor），半导体设计外包，n代表带负电荷的电子。

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半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。