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化（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，*辐照能力强，格尔木光伏组件回收，对热不敏感，适合于制造效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。

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前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。5、 边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电****形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下

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抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，****电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，二手光伏组件回收，样品置于低

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