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肖特基二****管

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被*，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，硅肖特基二****管，A中的电子也会产生从A→B的*移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子*移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

什么是二****管？

二****管，电子元件当中，一种具有两个电****的装置，检波肖特基二****管，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二****管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二****管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二****管****普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此，二****管可以想成电子版的逆止阀。

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普通肖特基二****管的正向压降为0.51V。低压降肖特基SBT20L45FCT的压降低了0.1V，比普通肖特基二****管消耗低了20%左右。大大降低了电路中不必要的消耗，****了能源的利用率。

随着国际社会倡导更加绿色的能源消费以及对节能环保的日益重视，降低对能源的无形消耗，为满足时*展及客户需求，会有更多的厂商选择低压降肖特基二****管。东莞凌讯（LX）电子生产的肖特****二****管系列产品均通过多项认证是众多客户的选择。

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长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V肖特基二****管的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构，如图2所示。采用这种结构的SBD，大同肖特基二****管，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P 区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，肖特基二****管电源，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。