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半导体激光器

北京思通博远激光科技有限公司主要从事光纤焊锡激光器，半导体焊锡激光器等各类激光器生产与非标参数激光器的设计和定制，波长266nm-1550nm，设计的领域包括于各种生*学、材料样品的激光照射系统，各种端泵、灯泵脉冲激光器，激光夜视照明、补光，激光焊接、切割、标刻系统，各种光谱激发、测量系统，各种多波长激光系统，各种实验光路的设计和搭建等。

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半导体激光器也称为半导体激光二****管，或简称激光二****管（Laser Diode，焊锡激光器厂，LD）。由于半导体材料本身物质结构的特异性以及半导体材料中电子运动规律的特殊性，使半导体激光器的工作特性具有其特殊性。

　　半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由（GaAs）、（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等等材料制成的半导体面结型二****管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GaAS，InAs，InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶如PbS，CdS，ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二****管激光器。

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半导体激光器的研究始于20世纪60年代。1962年，美国科学家Hall研制成功了****代半导体激光器——低温脉冲工作的GaAs同质结激光器，由于只能在液氮温度下脉冲工作，难于实用化，但它为半导体激光器的研制和开发利用奠定了基础。

从液氮温度下到室温下连续工作，从单异质结到双异质结，半导体激光器逐渐迈入了新时期。再之后随着能带工程理论的引用，新材料、新结构、新工艺的不断问世及发展，新制备出的*阱激光器、垂直腔面发射激光器各方面的功能特性有了很大程度的****，同时实现了高功率输出。

在欧美等国大力研发的情况下，半导体激光器器件结构理论的研究日益深入，材料制备工艺也逐渐成熟，尤其在材料外延生长技术、腔面钝化技术、芯片结构的优化技术和器件封装等方面都实现了显著的****。因此，半导体激光器的应用已遍及通信光源、光陀螺、光存储以及激光雷达等方面。

本文从半导体激光器的输出功率、转换效率和可靠性3个方面，江苏焊锡激光器厂，总结了目前市场上的主流技术、技术高值、代表厂商和产品，旨在供同行交流和参考。

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