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电子束蒸发源蒸镀法

将蒸发材料放入水冷铜坩锅中,直接利用电子束加热,使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜,是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点,中山奥迪车灯杯,特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。



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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响:

基体温度:镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力,温度可用T/Tm值来确定,如;靶材为钛,其熔点为1670℃,基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒*。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升,基体可选在250-300℃


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