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本文意在通过测量氧化铟锡的电阻温度系数（TCR）和室温下的响应因子来研究氧化铟锡的压阻效应。 使用电子束蒸发技术，选择合适的生长参数在玻璃衬底上制备所需的氧化铟锡薄膜，进行了化学成分、晶体结构、光学性质等常规测量，并研究了退火对薄膜性质的影响。然后用光刻和刻蚀的方法制作电学测试所需的图形。苏州ITO靶材回收，昆山ITO靶材回收，江苏ITO靶材回收。

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