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关于LED发光二****管漏电的问题

很多人都遇到过。有的是在生产检测时就发现,有得是在客户使用时发现。漏电出现的时机也各有不同。有些是在LED封装完成后的测试时就有,有些是在仓库放置一段时间后出现,有些是在老化一段时间后出现,有些是在客户焊接后出现,有些是在客户使用一段时间后出现。

对LED漏电问题的具体发生原因,一直困扰着封装厂的工程师。不少人认为LED漏电的原因不外如下:

静电损坏、晶片本身漏电、银胶问题、打线偏焊、运输过程静电i击穿漏电、封装时机台调试不当或封装后认为造成成品漏电。

纵观网上的结论,绝多数人将LED漏电原因归结于静电损坏。他们提出的解决措施不外乎强调防静电措施。这让封装厂和使用者都很为难。因为即使他们做好的防静电措施,LED漏电现象依然会有存在。那么,LED漏电原因到底是什么呢?本人认为,在目前,发光二****管漏电原因****可能是以下几点(按可能性大小排序):

1、芯片收到玷污(****主要、****i高发问题)

2、银胶过高

3、打线偏焊

4、应力

5、使用不当

6、晶片本身漏电

7、工艺不当使得芯片开裂

8、静电


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LED封装的取光效率分析

 一、影响取光效率的封装要素

  1.散热技术

  对于由PN结组成的发光二****管,当正向电流从PN结流过时,PN结有发热损耗,这些热量经由粘结胶、灌封材料、热沉等,辐射到空气中,在这个过 程中每一部分材料都有阻止热流的热阻*,也就是热阻,热阻是由器件的尺寸、结构及材料所决定的固定值。设发光二****管的热阻为Rth(℃/W),热耗散功率 为PD(W),此时由于电流的热损耗而引起的PN结温度上升为:

  T(℃)=Rth×PD。

  PN结结温为:

  TJ=TA Rth×PD

  其中TA为环境温度。由于结温的上升会使PN结发光复合的几率下降,发光二****管的亮度就会下降。同时,由于热损耗引起的温升增高,发光二****管亮度将不再继续随着电流成比例****,即显示出热饱和现象。另外,随着结温的上升,发光的峰值波长也将向长波方向*移,约0.2-0.3nm/℃,这对于通过由蓝光芯片涂覆YAG荧光粉混合得到的白色LED来说,蓝光波长的*移,会引起与荧光粉激发波长的失配,从而降低白光LED的整体发光效率,并导致白光色温的改变。

  对于功率发光二****管来说,驱动电流一般都为几百毫安以上,PN结的电流密度非常大,所以PN结的温升非常明显。对于封装和应用来说,如何降低 品的热阻,使PN结产生的热量能尽快的散发出去,不仅可****产品的饱和电*品的发光效率,同时也****了产品的可靠性和寿命。为了降低产品的热阻, 首先封装材料的选择显得尤为重要,包括热沉、粘结胶等,各材料的热阻要低,即要求导热性能良好。其次结构设计要合理,各材料间的导热性能连续匹配,材料之 间的导热连接良好,避免在导热通道中产生散热瓶颈,确保热量从内到外层层散发。同时,要从工艺上确保,热量按照预先设计的散热通道及时的散发出去。

  2.填充胶的选择

  根据折射定律,光线从光密介质入射到光疏介质时,当入射角达到一定值,即大于等于临界角时,会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说,GaN材料的折射率是2.3,当光线从晶体内部射向空气时,根据折射定律,临界角θ0=sin-1(n2/n1)。

  其中n2等于1,即空气的折射率,n1是GaN的折射率,由此计算得到临界角θ0约为25.8度。在这种情况下,能射出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光,据报导,目前GaN芯片的外*效率在30%-40%左右,因此,由于芯片晶体的内部吸收,能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导,目前GaN芯片的外*效率在30%-40%左右。同样,芯片发出的光要透过封装材料,传送到空间,也要考虑材料对取光效率的影响。

  所以,为了****LED产品封装的取光效率,必须****n2的值,即****封装材料的折射率,以****产品的临界角,从而****产品的封装发光效率。同 时,封装材料对光线的吸收要小。为了****出射光的比例,封装的外形****hao是拱形或半球形,这样,光线从封装材料射向空气时,几乎是垂直射到界面,因而不再产 生全反射。

  3.反射处理

  反射处理主要有两方面,一是芯片内部的反射处理,二是封装材料对光的反射,通过内、外两方面的反射处理,来****从芯片内部射出的光通比例,减少芯片内部吸收,****功率LED成品的发光效率。从封装来说,功率型LED通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上,支架式的反射腔一般是采取电镀方式****反射效果,而基板式的反射腔一般是采用抛光方式,有条件的还会进行电镀处理,但以上两种处理方式受模具精度及工艺影响,处理后的反射腔有一定的反射效果,但并不理想。目前国内制作基板式的反射腔,由于抛光精度不足或金属镀层的氧化,反射效果较差,这样导致很多光线在射到反射区后被吸收,无法按预期的目标反射至出光面,从而导致****终封装后的取光效率偏低。

  我们经过多方面的研究和试验,研制成一种具有自主知识产权的使用有机材料涂层的反射处理工艺,通过这种工艺处理,使得反射到载片腔内的光线吸收很少,能将大部分射到其上面的光线反射至出光面。这样处理后的产品取光效率与处理之前相比可****30%-50%。我们目前1W白光功率LED的光效可达 40-50lm/W(在远方PMS-50光谱分析测试仪器上测试结果),获得了很好的封装效果。

  4.荧光粉选择与涂覆

  对于白色功率型LED来说,发光效率的****还与荧光粉的选择和工艺处理有关。为了****荧光粉激发蓝色芯片的效率,首先荧光粉的选择要合适,包括激发波长、颗粒度大小、激发效率等,需全mian考核,兼顾各个性能。其次,荧光粉的涂覆要均匀,****hao是相对发光芯片各个发光面的胶层厚度均匀,以免因厚度不均 造成局部光线无法射出,同时也可****光斑的质量。

  二、结论

  良好的散热设计对****功率型LED产品发光效率有着显着的作用,同时也是确保产品寿命和可靠性的前提。而设计良好的出光通道,这里着重指反射腔、填充胶等的结构设计、材料选择和工艺处理,可以有效****功率型LED的取光效率。对功率型白光LED来说,荧光粉的选择和工艺设计,对光斑的****和发光效率的****也至关重要。


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