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蓝宝石衬底上典型的UV-LED外延结构图。与GaN基蓝光LED相比，盐城紫外线传感器，深紫外LED的研制面临着许多*的技术困难，如：高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难，一般而言，uv紫外线传感器，Al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109cm-2—1010cm-2乃至更高； AlGaN材料的掺杂与GaN相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，随着Al组分的增加，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-AlGaN的掺杂尤为棘手，掺杂剂Mg的激i活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降；同时紫外LED往往在平面蓝宝石衬底上外延生长，出光效率低等等。针对这些技术难点，目前已经发展出一些解决方案，手机紫外线传感器，如AlN同质衬底技术、纳米图形衬底外延技术（NPSS）和透明p型层技术等等。

从深紫外LED的发光波长与外*效率（EQE）的角度，总结了主要研究机构和公司在深紫外LED领域报导的代表性结果。可以看出，紫外线传感器价格，深紫外LED的EQE基本不超过10%，大部分*效率在5%以下。实际上，目前可购买的UVB、UVC波段LED产品的*效率往往只有1%—2%。这与浅紫外和蓝光LED的水准显然相去甚远。

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