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据日本稀有金属杂志2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25%，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。

因而需要探索一种新的多晶硅锭的制备方法，以解决上述存在的技术问题。

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，多晶硅锭加工，提供一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法可制得转换*的多晶硅锭，制得的多晶硅锭晶粒细小且分布均匀，对应晶砖少子寿命高且低少子寿命杂质点少，无明显枝晶和孪晶产生。

本发明是通过以下技术方案予以实现的。

一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法步骤如下:(I)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5: 5 - 7: 3的质量比混合均匀形成混合浆料，将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层；(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层，所述形核源的粒度为30 - 100目，形核源层的厚度为I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层；(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层，以****形核源在装料过程中遭到*，所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成，绍兴多晶硅锭，所述保护层的厚度为I一 20_ ;

(6)向坩埚内装载固体硅料，多晶硅锭生产，关闭多晶硅铸锭炉的保温罩，加热坩埚至1530 - 1560°C直至固体硅料完全熔化成硅液；(7)

通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度，打开保温罩，将保温罩升高5 — 8cm，将多晶铸锭的顶部*区域温度(TCl)降低至1420 - 1432°C，多晶硅锭****商家，使得坩埚底部温度降低，坩埚底部硅液处于过冷状态，利用形核源层形核结晶从而得到****多晶硅锭，所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。